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JANTXV2N2919U

包裝：散裝 封裝/外殼：3-SMD，無引線 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列 描述：TRANS 2NPN 60V 0.03A

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

JANTXV2N2919U/TR

包裝：散裝 封裝/外殼：3-SMD，無引線 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列 描述：TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N2919

DUALNPNPLANARTRANSISTORSINTO77PACKAGE

SEME-LAB

Seme LAB

2N2919

NPNSILICONDUALTRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

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DIFFERENTIALAMPLIFIERANDDUALNPNSILICONTRANSISTOR

DifferentialAmplifierandDualNPNSiliconTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

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NPNSILICONDUALTRANSISTOR

NPNSILICONDUALTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/355

MicrosemiMicrosemi Corporation

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DualTransistors

DualTransistorsPD@TA=25°C=600mWTotal(BothDieEqualPower)

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N2919

DUALNPNPLANARTRANSISTORSINTO77PACKAGE

SEME-LAB

Seme LAB

2N2919

SiliconNPNTransistor

Description SemicoaSemiconductorsoffers: ?ScreeningandprocessingperMIL-PRF-19500AppendixE ?JANlevel(2N2919J) ?JANTXlevel(2N2919JX) ?JANTXVlevel(2N2919JV) ?JANSlevel(2N2919JS) ?QCItotheapplicablelevel ?100dievisualinspectionperMIL-STD-750method2072forJANT

Semicoa

Semicoa Semiconductor

2N2919A

DualTransistors

DualTransistorsPD@TA=25°C=600mWTotal(BothDieEqualPower)

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N2919DCSM

DualBipolarNPNDevicesinahermeticallysealed

SEME-LAB

Seme LAB

2N2919L

NPNSILICONDUALTRANSISTOR

NPNSILICONDUALTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/355

MicrosemiMicrosemi Corporation

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NPNSILICONDUALTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/355

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    JANTXV2N2919U

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/355

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    60V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 100μA，1mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    150 @ 1mA，5V

  • 功率 - 最大值：

    350mW

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-SMD，無引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    3-SMD

  • 描述：

    TRANS 2NPN 60V 0.03A

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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