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JANTXV1N4135DUR-1/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：DO-213AA（玻璃）類別：分立半導體產(chǎn)品二極管 - 齊納 - 單描述：VOLTAGE REGULATOR	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N4135	文件：196.46 Kbytes Page：1 Pages	400MILLIWATTHERMETICALLYSEALEDGLASSSILICONZENERDIODES 400MILLIWATTHERMETICALLYSEALEDGLASSSILICONZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N4135	文件：357.68 Kbytes Page：5 Pages	500mWLowNoiseZenerDiodes Features ?LowCurrentOperationat250μA ?LowReverseLeakage ?LowNoiseCharacteristics ?MetallurgicallyBonded ?Hightemperaturesolderingguaranteed:260?C/10seconds ?RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
1N4135	文件：212.41 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARLOWNOISEZENERDIODES FEATURES ?Lownoise ?Lowreverseleakage	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N4135	文件：181.54 Kbytes Page：2 Pages	500mWLOWNOISESILIONZENERDIODES VOLTAGERANGE1.8to100Volts FEATURES Zenervoltage1.8to100V Lownoise *Lowreverseleakage	JGDJinan Gude Electronic Device 濟南固锝電子濟南固锝電子器件有限公司	JGD
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1N4135	文件：433.58 Kbytes Page：3 Pages	Consolidatedshippingoptions DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N4099seriessiliconZenerdiodeisdesignedforlowleakage,lowcurrent,andlownoiseapplications. MAXIMUMRATINGS:(TA=25°C)SYMBOLUNITS PowerDissipationPD250mW	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導體	Central
1N4135	文件：1.19442 Mbytes Page：3 Pages	SILICON500mW MAXIMUMRATINGS JunctionandStorageTemperatures:-65°Cto+200°C DCPowerDissipation:500mW PowerDerating:4.0mW/°Cabove50°CinDO-35 ForwardVoltage@200mA:1.1Volts1N4099-1N4135 @100mA:1.0Volts1N4614-1N4627	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
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