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JANTXV1N4112DUR-1中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
JANTXV1N4112DUR-1 |
| 參數(shù)屬性 | JANTXV1N4112DUR-1 封裝/外殼為DO-213AA（玻璃）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 齊納 - 單；產(chǎn)品描述：DIODE ZENER 18V 500MW DO213AA |
| 功能描述 | SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
| 文件大小 |
109.42 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-5 15:56:00 |
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更多JANTXV1N4112DUR-1規(guī)格書詳情
? 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435
? LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT
? LOW CURRENT OPERATION AT 250 μA
? METALLURGICALLY BONDED
MAXIMUM RATINGS
Junction and Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ TEC= +125°C
Power Derating: 10mW/ °C above TEC= +125°C
Forward Derating @ 200 mA: 1.1 Volts maximum
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
JANTXV1N4112DUR-1
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 齊納 - 單
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/435
- 包裝：
卷帶（TR）
- 容差：
±1%
- 工作溫度：
-65°C ~ 175°C
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
DO-213AA（玻璃）
- 供應(yīng)商器件封裝：
DO-213AA
- 描述：
DIODE ZENER 18V 500MW DO213AA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美國微芯) |
23+ |
DO35(DO204AH) |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
納立只做原裝正品13590203865 |
詢價 | ||||
Sensitron Semiconductor |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
Microsemi |
1941+ |
N/A |
909 |
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Microsemi |
22+ |
NA |
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MICROSEMI |
1809+ |
DO-213 |
96 |
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