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JANTX1N3671A	文件：106.56 Kbytes Page：2 Pages	Military Silicon Power Rectifier MilitarySiliconPowerRectifier ?AvailableinJAN,JANTXandJANTXV ?MIL-PRF-19500/260 ?Glasspassivateddie ?Glasstometalsealconstruction ?240Ampssurgerating ?VRRMto1000volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTX1N3671A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：DO-203AA，DO-4，接線柱類別：分立半導體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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1N3671	文件：154.83 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-PowerRectifiers Silicon-PowerRectifiers Nominalcurrent–Nennstrom12A Repetitivepeakreversevoltage50...1000V Weightapprox.–Gewichtca.5.5g Recommendedmountingtorque18±10lb.in. IndexR:Anodetostud/amGewinde(e.g.1N1199A/R)	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
1N3671	文件：162.15 Kbytes Page：3 Pages	STANDARDRECOVERYRECTIFIERS	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N3671	文件：128.289 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Rectifiers	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
1N3671A	文件：152.93 Kbytes Page：6 Pages	MediumPowerSiliconRectifierDiodes,12A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
1N3671A	文件：140.12 Kbytes Page：5 Pages	MediumPowerSiliconRectifierDiodes,12A FEATURES ?Voltageratingsfrom50Vto1000V ?Highsurgecapability ?Lowthermalimpedance ?Hightemperaturerating ?CanbesuppliedasJANandJAN-TXdevicesinaccordancewithMIL-S-19500/260 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
1N3671A	文件：449.73 Kbytes Page：2 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode [GeneSiCSemiconductor,Inc.] Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto1000VVRRM	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
1N3671A	文件：760.01 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom800Vto1000VVRRM ?NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3671A	文件：781.2 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3671A	文件：773.21 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N3671A	文件：103.56 Kbytes Page：4 Pages	12AMPMEDIUMPOWERSILICONRECTIFIERDIODES Description/Features ■Voltageratingfrom50to1,000volts ■Highsurgecapability ■Lowthermalimpedance ■Hightemperaturerating ■CanbesuppliedasJANandJAN-TXdevicesinaccordancewithMIL-S-19500/260	IRF International Rectifier	IRF
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1N3671A	文件：129.539 Kbytes Page：2 Pages	MILITARYSILICONPOWERRECTIFIER MilitarySiliconPowerRectifier ?AvailableinJAN,JANTXandJANTXV ?MIL-PRF-19500/260 ?Glasspassivateddie ?Glasstometalsealconstruction ?240Ampssurgerating ?VRRMto1000volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
JANTX1N3671A
制造商：
Microchip Technology
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
系列：
Military, MIL-PRF-19500/260
包裝：
散裝
二極管類型：
標準
電流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）
安裝類型：
接線柱安裝
封裝/外殼：
DO-203AA，DO-4，接線柱
供應商器件封裝：
DO-203AA
工作溫度 - 結：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

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更多JANTX1N3671A供應商更新時間2024-11-4 15:08:00

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