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JANS1N5712UB/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：4-SMD，無引線類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5712	文件：580.43 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES Metal-to-siliconjunction andpulseapplicationswithbroaddynamicrange Highbreakdownvoltage Lowturn-onvoltage Ultrafastswitchingspeed PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetection	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三陽電子三陽電子有限公司	SAMYANG
1N5712	文件：447.06 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSINGALSCHOTTKYDIODES FEATURES ?Metal-on-siliconjunction ?Highbreakdownvoltage ?Lowturn-onvoltage ?Ultrafastswitchingspeed ?PrimarilyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange ?ThediodeisalsoavailableintheMiniMELFcasewithtypedesignationLL5	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合明輝電子山東星合明輝電子有限公司	GXELECTRONICS
1N5712	文件：498.37 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeAxialLeadGlassPackagedSchottkyDiodes DescriptionandApplications Thesesilicondiodesarepackagedinahermeticaxialleadglasspackage.Varioususesincludedetecting,mixingandswitchingatlowpowerlevels.Theyaresuitableforcommercialswitchingalongwithcontrolfunctionsinnarrowbandreceivers.Thesediodescanalso	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
1N5712	文件：58.4 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES ?Metal-on-siliconjunction ?Highbreakdownvoltage ?Lowturn-onvoltage ?Ultrafastswitchingspeed ?PrimarilyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange ?ThediodeisalsoavailableintheMiniMELFcasewithtypedesignationLL5	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINGHENG
1N5712	文件：54.79 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange	KISEMICONDUCTORKwang Myoung I.S. CO.,LTD 明陽國際貿(mào)易廣州市明陽國際貿(mào)易有限公司	KISEMICONDUCTOR
1N5712	文件：153.85 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes Features ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
1N5712	文件：275.19 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N5712	文件：264.7 Kbytes Page：7 Pages	PicoSecondSwitchingSpeed Description/Applications The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcostglasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logor	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安華高	AVAGO
1N5712	文件：536.51 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES Features ●Metal-to-siliconjunction ●Highbreakdownvoltage ●Lowturn-onvoltage ●Ultrafastswitchingspeed	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司	SUNMATE
1N5712	文件：433.18 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYDIODES SCHOTTKYDIODES ?Forgeneralpurposeapplications ?Metal-on-siliconSchottkybarrierdevicewhichisprotected byaPNjunctionguardring.Thelowforwardvoltagedrop andfastswitchingmakeitidealforprotectionofMOSdevices.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5712	文件：543.771 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
1N5712	文件：543.771 Kbytes Page：3 Pages	20VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司 PDF上傳者：深圳市福田區(qū)吉富昌電子商行	SUNMATE
1N5712	文件：124.62 Kbytes Page：1 Pages	SchottkyBarrierDiodesforGeneralPurposeApplications Description/Applications The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcostglasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
1N5712	文件：55.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5712	文件：58.49 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES ?Metal-on-siliconjunction ?Highbreakdownvoltage ?Lowturn-onvoltage ?Ultrafastswitchingspeed ?PrimarilyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange ?ThediodeisalsoavailableintheMiniMELFcasewithtypedesignationLL5	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集團(tuán)濟(jì)南晶恒電子有限責(zé)任公司	JINANJINGHENG
1N5712	文件：54.13 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES FEATURES ◇Metal-to-siliconjunction ◇Highbreakdownvoltage ◇Lowturn-onvoltage ◇Ultrafastswitchingspeed ◇PrmarlyintendedforhighlevelUHF/VHFdetectionandpulseapplicationswithbroaddynamicrange	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世紀(jì)微電子常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
1N5712	文件：56.87 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiodesforGeneralPurposeApplications Description The1N5711,1N5712,5082-2800/10/11arepassivatedSchottkybarrierdiodeswhichuseapatented“guardring”designtoachieveahighbreakdownvoltage.Packagedinalowcost glasspackage,theyarewellsuitedforhighleveldetecting,mixing,switching,gating,logorA-Dconv	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
1N5712UB	文件：55.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5712UBCA	文件：55.97 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
JANS1N5712UB/TR
制造商：
Microchip Technology
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
系列：
Military, MIL-PRF-19500/444
包裝：
散裝
二極管類型：
肖特基
速度：
小信號 =< 200mA（Io），任意速度
不同?Vr、F 時電容：
2pF @ 0V，1MHz
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
4-SMD，無引線
供應(yīng)商器件封裝：
UB
工作溫度 - 結(jié)：
150°C（最大）
描述：
DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	JANS1N5712UB/TR	MICROCHIP(美國微芯)	23+		7350	現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	JANS1N5712UB/TR		24+	N/A	70000	一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	JANS1N5712UB/TR	Microchip Technology	24+	UB	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價
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深圳市瑞卓芯科技有限公司	JANS1N5712UBD	MICROSEMI/美高森美	22+	SMD	11190	原裝正品	詢價
深圳市微納爾電子實(shí)業(yè)有限公司	JANS1N5802URS	Microchip	21+		15000	只做原裝	詢價
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深圳市川藍(lán)電子科技有限公司	JANS1N5802URS	microchipdirect	23+		15422	原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,	詢價
深圳市納立科技有限公司	JANS1N5804	MICROSEMI	三年內(nèi)		1983	納立只做原裝正品13590203865	詢價

更多JANS1N5712UB/TR供應(yīng)商更新時間2024-11-9 8:14:00

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