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1N5711QCSM

DUALCOMMONCATHODE

SEME-LAB

Seme LAB

1N5711UB

SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT

SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N5711UBCA

SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT

SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N5711UBCC

SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT

SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N5711UBD

SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT

SCHOTTKYBARRIERDIODESLEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT QualifiedperMIL-PRF-19500/444

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N5711W

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE

Features ?LowForwardVoltageDrop ?GuardRingConstructionforTransientProtection ?FastSwitchingTime ?LowReverseCapacitance ?SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ?LeadFree/RoHSCompliant(Note3)

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

1N5711W

SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE

Features ?LowForwardVoltageDrop ?GuardRingConstructionforTransientProtection ?FastSwitchingTime ?LowReverseCapacitance ?SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ?LeadFree/RoHSCompliant(Note3)

DIODESDiodes Incorporated

美臺(tái)半導(dǎo)體

1N5711W

SurfaceMountSchottkyBarrierDiode

VoltageRange70Volts250mWattsPowerDissipation Features ◇Lowforwardvoltagedrop ◇GuardRingConstructionforTransient Protection ◇Fastswitchingtime ◇LowReverseCapacitance ◇Surfacemountpackageideallysuitedfor automaticinsertion

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

1N5711W

Surfacemountschottkybarrierdiode

FEATURES ●LowForwardVoltageDrop. ●GuardRingConstructionforTransientProtection. ●FastSwitchingTime. ●LowReverseCapacitance. ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion. APPLICATIONS ●Surfacemountfastswitchingschottkydiode.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

1N5711W

LowForwardVoltageDrop

Features ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingConstructionforTransient Protection ●FastSwitchingTime ●LowReverseCapacitance ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    JANS1N5711UB/TR

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/444

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管類型：

    肖特基

  • 速度：

    小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容：

    2pF @ 0V，1MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，無引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    UB

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE SMALL-SIGNAL SCHOTTKY

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!!
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更多JANS1N5711UB/TR供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-6-26 22:59:00

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