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IXTT140N10P	文件：170.2 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT?? Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
CEB140N10	文件：645.67 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,137A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP140N10	文件：1.63854 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEP140N10	文件：388.81 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,137A,RDS(ON)=7.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP140N10	文件：645.67 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,137A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEWP140N10	文件：544.76 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,150A,RDS(ON)=7.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-3Ppackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
FIR140N10ANFG	文件：4.53139 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR140N10PG	文件：4.63559 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR140N10RG	文件：3.6961 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FQA140N10	文件：362.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQA140N10	文件：649.58 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQH140N10	文件：328.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.01Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQH140N10	文件：679.96 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IXFH140N10P	文件：119.05 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT140N10P	文件：119.05 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ140N10P	文件：301.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXTQ140N10P	文件：170.2 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT??PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MCP140N10Y	文件：748.11 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
RU140N10R	文件：455.35 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 銳駿半導(dǎo)體深圳銳駿半導(dǎo)體股份有限公司	RUICHIPS
RU140N10R	文件：1.59965 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
IXTT140N10P
功能描述：
MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	IXTT140N10P	IXYS	24+	TO-268AA	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	IXTT140N10P	IXYS	24+	TO-268	8866		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	IXTT140N10P	IXYS	2016+	TO-247	6523	只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	IXTT140N10P	IXYS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	IXTT140N10P	IXYS	23+	TO268	8650	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	IXTT140N10P	IXYS	20+	TO-247	36500	原裝現(xiàn)貨/放心購(gòu)買	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXTT140N10P	IXYS	1931+	N/A	113	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購(gòu)物	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	IXTT140N10P	IXYS	1809+	TO-268	326	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
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更多IXTT140N10P供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 20:18:00

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