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IXTQ200N10T

TrenchMVTMPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTQ200N10T

TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated

IXYS

IXYS Corporation

IXTV200N10T

TrenchMVPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTV200N10TS

TrenchMVPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

RSD200N10

4VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團

詳細參數(shù)

  • 型號:

    IXTR200N10P

  • 功能描述:

    MOSFET 133 Amps 100V 0.008 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
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ISOPLUS247?
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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IXYS
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ISOPLUS247?
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更多IXTR200N10P供應(yīng)商 更新時間2025-4-4 14:13:00