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IXTP12N50PM

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTP12N50PM

PolarTM Power MOSFET

IXYS

IXYS Corporation

JCS12N50C

Lowgatecharge

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS12N50CC-O-C-N-B

Lowgatecharge

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS12N50FC-O-F-N-B

Lowgatecharge

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS12N50SC-O-S-N-A

Lowgatecharge

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

JCS12N50SC-O-S-N-B

Lowgatecharge

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

華微電子吉林華微電子股份有限公司

MDF12N50

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF12N50B

N-ChannelMOSFET500V,11.5A,0.65(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDF12N50BTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IXTP12N50PM

  • 功能描述：

    MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
IXYS/艾賽斯
17+
TO-220Overmolded
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
IXYS
17+
TO-220
6200
詢價
IXYS
24+
TO-220Overmolded
8866
詢價
IXYS
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TO-220-3
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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IXYS
1809+
TO-220
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更多IXTP12N50PM供應商 更新時間2025-1-27 14:14:00

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