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IXTM12N90中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTM12N90
廠商型號

IXTM12N90

功能描述

MegaMOS FET

文件大小

102.81 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-14 9:38:00

IXTM12N90規(guī)格書詳情

MegaMOS? FET

N-Channel Enhancement Mode

Features

? International standard packages

? Low RDS (on) HDMOSTM process

? Rugged polysilicon gate cell structure

? Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

? Fast switching times

Applications

? Switch-mode and resonant-mode power supplies

? Motor controls

? Uninterruptible Power Supplies (UPS)

? DC choppers

Advantages

? Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXTM12N90

  • 功能描述:

    MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohms Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TO-3P
2015
模塊
300
十七年VIP會員,誠信經(jīng)營,一手貨源,原裝正品可零售!
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獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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原廠標(biāo)準(zhǔn)封裝
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