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IXTH10N100中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTH10N100
廠商型號

IXTH10N100

功能描述

MegaMOS FET

文件大小

106.76 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-5 20:00:00

IXTH10N100規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement Mode

Features

● International standard packages

● Low RDS(on) HDMOS? process

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

● Fast switching times

Applications

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

● Motor controls

● Uninterruptible Power Supplies (UPS)

● DC choppers

Advantages

● Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

● Space savings

● High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXTH10N100

  • 功能描述:

    MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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