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IXTA200N085T7中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXTA200N085T7
廠商型號

IXTA200N085T7

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件大小

168.84 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-30 21:27:00

IXTA200N085T7規(guī)格書詳情

TrenchMV Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Features

● Ultra-low On Resistance

● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

● Low package inductance

- easy to drive and to protect

● 175 °C Operating Temperature

Advantages

● Easy to mount

● Space savings

● High power density

Applications

● Automotive

- Motor Drives

- 42V Power Bus

- ABS Systems

● DC/DC Converters and Off-line UPS

● Primary Switch for 24V and 48V Systems

● High Current Switching Applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXTA200N085T7

  • 功能描述:

    MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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