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IXGT50N60C2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGT50N60C2
廠商型號

IXGT50N60C2
參數(shù)屬性

IXGT50N60C2 封裝/外殼為TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 75A 400W TO268
功能描述

HiPerFAST IGBT C2-Class High Speed IGBTs
IGBT 600V 75A 400W TO268
文件大小

592.39 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-12-29 15:30:00

IXGT50N60C2規(guī)格書詳情

IXGT50N60C2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGT50N60C2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

C2-Class High Speed IGBTs

Features

Very high frequency IGBT

Square RBSOA

High current handling capability

MOS Gate turn-on

- drive simplicity

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IXGT50N60C2

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    380μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    18ns/115ns

  • 測試條件：

    480V，40A，2 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 400W TO268

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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