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IXGT32N90B2D1 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

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原廠料號：IXGT32N90B2D1品牌：IXYS/艾賽斯

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IXGT32N90B2D1是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝TO-268/TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA的IXGT32N90B2D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXGT32N90B2D1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    225.77 kb

  • 資料說明：

    HiPerFAST IGBT with Fast Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGT32N90B2D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，32A

  • 開關(guān)能量：

    2.2mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    20ns/260ns

  • 測試條件：

    720V，32A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 900V 64A 300W TO268

供應商

  • 企業(yè)：

    貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/周小姐

  • 手機：

    18923718265

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82721010

  • 傳真：

    0755-28225816

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1016號寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級代理商

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