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IXGT30N60C2_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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原廠料號：IXGT30N60C2品牌：IXYS

資料說明：IGBT 600V 70A 190W TO268

IXGT30N60C2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA的IXGT30N60C2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    ixgt30n60c2

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 資料說明：

    IGBT 600V 70A 190W TO268

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGT30N60C2

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，24A

  • 開關(guān)能量：

    290μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    13ns/70ns

  • 測試條件：

    400V，24A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 600V 70A 190W TO268

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
24+
TO-268
8866
詢價
IXYS/艾賽斯
23+
TO-268
10000
公司只做原裝正品
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IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
IXYS
21+
TO268
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
IXYS
23+
TO268
9000
原裝正品，支持實單
 詢價
IXYS
2022+
TO-268
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價
IXYS
24+
TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價
IXYS/艾賽斯
21+
TO-268
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
IXYS
TO-268
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
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IXYS
10+
TO-268
100
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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