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IXGT30N60B2D1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

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原廠料號：IXGT30N60B2D1品牌：IXYS/艾賽斯

公司只做原裝正品

IXGT30N60B2D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝TO-268/TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA的IXGT30N60B2D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXGT30N60B2D1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    606.36 kb

  • 資料說明：

    HiPerFAST IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGT30N60B2D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，24A

  • 開關(guān)能量：

    320μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    13ns/110ns

  • 測試條件：

    400V，24A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-268AA

  • 描述：

    IGBT 600V 70A 190W TO268

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機(jī)：

    17704083728

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82578201

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場5107

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