IXGR50N60C2D1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單-IXYS

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廠家型號：
IXGR50N60C2D1
制造商：
IXYS/IXYS Corporation
庫存數(shù)量：
0
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單
封裝外殼：
TO-247-3
包裝：
管件
安裝類型：
通孔
更新時(shí)間：
2021-9-14 10:50:00

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原廠料號：IXGR50N60C2D1品牌：IXYS

資料說明：IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247

IXGR50N60C2D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/IXYS Corporation生產(chǎn)封裝TO-247-3的IXGR50N60C2D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號：
ixgr50n60c2d1
規(guī)格書：
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企業(yè)簡稱：
IXYS詳情
廠商全稱：
IXYS Corporation
資料說明：
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
IXGR50N60C2D1
制造商：
IXYS
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
HiPerFAST?
包裝：
管件
IGBT 類型：
PT
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，40A
開關(guān)能量：
380μJ（關(guān)）
輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
18ns/115ns
測試條件：
480V，40A，2 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
ISOPLUS247?
描述：
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247

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IXGR50N60C2D1

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