首頁>IXGP16N60C2D1>詳情

IXGP16N60C2D1 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXGP16N60C2D1參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IXGP16N60C2D1品牌：IXYS/艾賽斯

公司只做原裝正品

IXGP16N60C2D1是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產封裝TO-220/TO-220-3的IXGP16N60C2D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXGP16N60C2D1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內容頁數(shù)：

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    224.65 kb

  • 資料說明：

    HiPerFAST IGBTs C2-Class High Speed w/ Diode

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    IXGP16N60C2D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3V @ 15V，12A

  • 開關能量：

    160μJ（開），90μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    16ns/75ns

  • 測試條件：

    400V，12A，22 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 600V 40A 150W TO220

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市國宇半導體科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王小姐

  • 手機：

    17704083728

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82578201

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場5107

相近型號