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IXGM25N100分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGM25N100
廠商型號

IXGM25N100
參數(shù)屬性

IXGM25N100 封裝/外殼為TO-204AE；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：POWER MOSFET TO-3
功能描述

Low V High speed IGBT
POWER MOSFET TO-3
文件大小

110.94 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-12-26 11:44:00

IXGM25N100規(guī)格書詳情

IXGM25N100屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產的IXGM25N100晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Features

● International standard packages

● 2nd generation HDMOSTM process

● Low VCE(sat)

- for low on-state conduction losses

● High current handling capability

● MOS Gate turn-on

- drive simplicity

● Voltage rating guaranteed at high temperature (125°C)

Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

● Easy to mount with 1 screw (TO-247) (isolated mounting screw hole)

● High power density

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    IXGM25N100A

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    4V @ 15V，25A

  • 開關能量：

    5mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    100ns/500ns

  • 測試條件：

    800V，25A，33 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AE

  • 供應商器件封裝：

    TO-204AE

  • 描述：

    POWER MOSFET TO-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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