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IXGH60N60分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXGH60N60
廠商型號

IXGH60N60
參數(shù)屬性

IXGH60N60 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 75A 300W TO247AD
功能描述

HIGH CURRENT MOSIGBT
IGBT 600V 75A 300W TO247AD
文件大小

68.56 Kbytes
頁面數(shù)量

1 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-12-28 23:00:00

IXGH60N60規(guī)格書詳情

IXGH60N60屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXGH60N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

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產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IXGH60N60

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 15V，60A

  • 開關能量：

    8mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    50ns/300ns

  • 測試條件：

    480V，60A，2.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 75A 300W TO247AD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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