首頁>IXGH39N60BD1>詳情

IXGH39N60BD1 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXGH39N60BD1參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IXGH39N60BD1品牌：IXYS

公司大量全新正品 隨時可以發(fā)貨

IXGH39N60BD1是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO-247-3的IXGH39N60BD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXGH39N60BD1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    5 頁

  • 文件大?。?/span>

    154.31 kb

  • 資料說明：

    HiPerFAST IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGH39N60BD1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    HiPerFAST?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 15V，39A

  • 開關能量：

    4mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    25ns/250ns

  • 測試條件：

    480V，39A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 600V 76A 200W TO247AD

供應商

  • 企業(yè)：

    瀚佳科技(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生李小姐

  • 手機：

    13827426716/13480654098

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23140719/23915992

  • 傳真：

    0755-23140719

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振華路中航苑鼎城大夏1607室

相近型號