IXGH36N60B3D4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXGH36N60B3D4參考圖片

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號:IXGH36N60B3D4品牌:IXYS/艾賽斯

原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢

IXGH36N60B3D4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS/艾賽斯/IXYS生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的IXGH36N60B3D4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    IXGH36N60B3D4

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    IXYS詳情

  • 廠商全稱:

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    4 頁

  • 文件大小:

    839.36 kb

  • 資料說明:

    600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    IXGH36N60B3D4

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    GenX3?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    540μJ(開),800μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    19ns/125ns

  • 測試條件:

    400V,30A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 250W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳廊盛科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    李小姐

  • 手機(jī):

    18229386512

  • 詢價:
  • 電話:

    18229386512

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道上步工業(yè)區(qū)501棟410室