首頁>IXGH10N100AU1>詳情

IXGH10N100AU1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

IXGH10N100AU1參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：IXGH10N100AU1品牌：IXYS

公司只售原裝,支持實(shí)單

IXGH10N100AU1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝TO247AD (IXGH)/TO-247-3的IXGH10N100AU1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    IXGH10N100AU1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    IXYS詳情

  • 廠商全稱：

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    121.57 kb

  • 資料說明：

    Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IXGH10N100AU1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    4V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    2mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    100ns/550ns

  • 測試條件：

    800V，10A，150 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247AD

  • 描述：

    IGBT 1000V 20A 100W TO247AD

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市芯福林電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張女士

  • 手機(jī)：

    13786598841

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82574045

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場6608

相近型號