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IXFR180N15P中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFR180N15P
廠商型號

IXFR180N15P
功能描述

PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
文件大小

158.44 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-9 22:59:00
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IXFR180N15P規(guī)格書詳情

PolarHV? HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247? (Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Features

? International standard isolated package

? UL recognized package

? Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

? Low package inductance

- easy to drive and to protect

? Fast intrinsic diode

Advantages

? Easy to mount

? Space savings

? High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IXFR180N15P

  • 功能描述：

    MOSFET 94 Amps 150V 0.011 Rds

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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