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IXFH12N80P中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXFH12N80P
廠商型號

IXFH12N80P
功能描述

PolarHV HiPerFET Power MOSFET
文件大小

176.36 Kbytes
頁面數(shù)量

5 頁
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-18 22:30:00

IXFH12N80P規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement Mode

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IXFH12N80P

  • 功能描述：

    MOSFET DIODE Id12 BVdass800

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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