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IXFE34N100中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
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廠商型號(hào) |
IXFE34N100 |
功能描述 | HiPerFET-TM Power MOSFET |
文件大小 |
434.72 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IXYS |
中文名稱 | IXYS Corporation官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-22 15:00:00 |
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IXFE34N100規(guī)格書詳情
HiPerFET Power MOSFET
Single MOSFET Die
Features
? Conforms to SOT-227B outline
? Low RDS (on) HDMOSTM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
Advantages
? Low cost
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IXFE34N100
- 功能描述:
MOSFET 30 Amps 1000V 0.28 Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
2022+ |
SOT-227-4,miniBLOC |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
22+ |
SOT2274 miniBLOC |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
SOT227 |
2050 |
公司大量全新原裝 正品 隨時(shí)可以發(fā)貨 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
SOT-227B |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
MOSFETN-CH1000V30AISOPLU |
1690 |
專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
2023+ |
MODULE |
80000 |
一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
19+/20+ |
SOT-227B |
1000 |
主打產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)惠.全新原裝正品 |
詢價(jià) | ||
IXFN |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
MODULE |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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詢價(jià) |