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IXER35N120D1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXER35N120D1
廠商型號(hào)

IXER35N120D1
參數(shù)屬性

IXER35N120D1 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 50A 200W TO247
功能描述

NPT3 IGBT with Diode
IGBT 1200V 50A 200W TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

52.7 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-13 18:53:00
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IXER35N120D1規(guī)格書詳情

IXER35N120D1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXER35N120D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? NPT3 IGBT

- low saturation voltage

- positive temperature coefficient for

easy paralleling

- fast switching

- short tail current for optimized

performance in resonant circuits

? HiPerFREDTM diode

- fast reverse recovery

- low operating forward voltage

- low leakage current

? ISOPLUS 247TM package

- isolated back surface

- low coupling capacity between pins

and heatsink

- high reliability

- industry standard outline

Applications

? single switches

? choppers with complementary free

wheeling diodes

? phaselegs, H bridges, three phase

bridges e.g. for

- power supplies, UPS

- AC, DC and SR drives

- induction heating

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IXER35N120D1

  • 制造商：

    IXYS

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    5.4mJ（開），2.6mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件：

    600V，35A，39 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ISOPLUS247?

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 200W TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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