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IXDP20N60BD1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

IXDP20N60BD1
廠商型號(hào)

IXDP20N60BD1

參數(shù)屬性

IXDP20N60BD1 封裝/外殼為T(mén)O-220-3;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 32A 140W TO220AB

功能描述

High Voltage IGBT with optional Diode
IGBT 600V 32A 140W TO220AB

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

77.18 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

IXYS

中文名稱(chēng)

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-24 23:01:00

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IXDP20N60BD1規(guī)格書(shū)詳情

IXDP20N60BD1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXDP20N60BD1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

VCES = 600 V

IC25 = 32 A

VCE(sat) typ = 2.2 V

Features

● NPT IGBT technology

● low switching losses

● low tail current

● no latch up

● short circuit capability

● positive temperature coefficient for easy paralleling

● MOS input, voltage controlled

● optional ultra fast diode

● International standard package

Advantages

● Space savings

● High power density

Typical Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninteruptible power supplies (UPS)

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IXDP20N60BD1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類(lèi)型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,20A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    900μJ(開(kāi)),400μJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件:

    300V,20A,22 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 32A 140W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
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IXYS/艾賽斯
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