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IXDN602SITR集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IXDN602SITR |
| 參數(shù)屬性 | IXDN602SITR 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)；包裝為管件；類(lèi)別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
| 功能描述 | 2A Peak Source/Sink Drive Current |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán) |
| 文件大小 |
308.57 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IXYS Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
IXYS |
| 中文名稱(chēng) | IXYS Corporation官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-13 19:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IXDN602SITR
- 制造商：
IXYS Integrated Circuits Division
- 類(lèi)別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：
管件
- 驅(qū)動(dòng)配置：
低端
- 通道類(lèi)型：
獨(dú)立式
- 柵極類(lèi)型：
IGBT，N 溝道，P 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
4.5V ~ 35V
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
0.8V，3V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
2A，2A
- 輸入類(lèi)型：
非反相
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：
7.5ns，6.5ns
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤(pán)
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC-EP
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
DIP8 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS |
21/ |
SOP |
8000 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS |
2016+ |
DIP8 |
6523 |
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS |
23+ |
DIP8 |
50 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
Littelfuse/IXYS |
23+ |
SOP-8-EP |
2317 |
深耕行業(yè)12年,可提供技術(shù)支持。 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
DIP8 |
30000 |
原裝現(xiàn)貨,假一賠十. |
詢(xún)價(jià) | ||
CLARE |
22+23+ |
DIP8 |
43867 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS Integrated Circuits Divis |
24+ |
8-SOIC-EP |
65200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢(xún)價(jià) | ||
IXYS |
24+ |
DIP8 |
500 |
“芯達(dá)集團(tuán)”專(zhuān)營(yíng)軍工百分之百原裝進(jìn)口 |
詢(xún)價(jià) | ||
CLARE |
23+ |
DIP8 |
3000 |
原裝正品假一罰百!可開(kāi)增票! |
詢(xún)價(jià) |
