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IXDI509D1

9 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDI509D1

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:6-VDFN 裸露焊盤 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN

IXYS

IXYS Corporation

IXDI509D1T/R

9 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDI509D1T/R

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:6-VDFN 裸露焊盤 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN

IXYS

IXYS Corporation

IXDD509D1

9AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDriverswithEnableforfast,controlledshutdown

IXYS

IXYS Corporation

IXDD509D1TR

9AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDriverswithEnableforfast,controlledshutdown

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IXDE509D1

9AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDriverswithEnableforfast,controlledshutdown

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IXDE509D1TR

9AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDriverswithEnableforfast,controlledshutdown

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IXDN509D1

9AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

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9AmpereLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IXDI509D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動配置:

    低端

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 30V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,2.4V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    9A,9A

  • 輸入類型:

    反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    25ns,23ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-VDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-DFN(4x5)

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IXYS
23+
DIP18
6000
15年原裝正品企業(yè)
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IXYS
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原裝正品,支持實單
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IXYS艾賽斯
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Ixys
24+
原廠封裝
7525
原裝現(xiàn)貨
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