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IXDI402SI集成電路(IC)的柵極驅動器規(guī)格書PDF中文資料

IXDI402SI
廠商型號

IXDI402SI

參數(shù)屬性

IXDI402SI 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅動器;產品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

功能描述

2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

308.26 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-10 19:00:00

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IXDI402SI規(guī)格書詳情

IXDI402SI屬于集成電路(IC)的柵極驅動器。由IXYS Corporation制造生產的IXDI402SI柵極驅動器柵極驅動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅動的半導體配置相關。

General Description

The IXDN402/IXDI402/IXDF402 consists of two 2 Amp CMOS high speed MOSFET drivers. Each output can source and sink 2A of peak current while producing voltage rise and fall times of less than 15ns to drive the latest IXYS MOSFETs & IGBTs. The input of the driver is TTL or CMOS

compatible and is fully immune to latch up over the entire operating range. A patent-pending circuit virtually eliminates cross conduction and current shoot-through. Improved speed and drive capabilities are further enhanced by very low and matched rise and fall times.

Features

? Built using the advantages and compatibility of CMOS and IXYS HDMOS? processes

? Latch-Up Protected Over Entire Operating Range

? High Peak Output Current: 2A Peak

? Wide Operating Range: 4.5V to 25V

? High Capacitive Load Drive Capability: 1000pF in <10ns

? Matched Rise And Fall Times

? Low Propagation Delay Time

? Low Output Impedance

? Low Supply Current

? Two Drivers in Single Chip

Applications

? Driving MOSFETs and IGBTs

? Motor Controls

? Line Drivers

? Pulse Generators

? Local Power ON/OFF Switch

? Switch Mode Power Supplies (SMPS)

? DC to DC Converters

? Pulse Transformer Driver

? Class D Switching Amplifiers

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    IXDI402SI

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅動器

  • 包裝:

    管件

  • 驅動配置:

    低端

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道,P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 35V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 輸入類型:

    反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    8ns,8ns

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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