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KSM630

AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMB630

Excellentpackageforgoodheatdissipation.

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMD630

200VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IXDD630CI

  • 制造商：

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝：

    管件

  • 驅(qū)動配置：

    低端

  • 通道類型：

    單路

  • 柵極類型：

    IGBT，N 溝道，P 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    12.5V ~ 35V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.8V，3.5V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    30A，30A

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    11ns，11ns

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-5

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-5

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IXDD630CI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-1 11:00:00

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