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IXBT10N170分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IXBT10N170
廠商型號

IXBT10N170

參數(shù)屬性

IXBT10N170 封裝/外殼為TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1700V 20A 140W TO268

功能描述

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT 1700V 20A 140W TO268

文件大小

596.87 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-26 10:30:00

IXBT10N170規(guī)格書詳情

IXBT10N170屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由IXYS Corporation制造生產(chǎn)的IXBT10N170晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features

● High Blocking Voltage

● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD

● Low conduction losses

● High current handling capability

● MOS Gate turn-on

- drive simplicity

● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Applications

● AC motor speed control

● Uninterruptible power supplies (UPS)

● Switched-mode and resonant-mode power supplies

● Capacitor discharge circuits

Advantages

● High power density

● Suitable for surface mounting

● Easy to mount with 1 screw,

(isolated mounting screw hole)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IXBT10N170

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.8V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    6mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    35ns/500ns

  • 測試條件:

    1360V,10A,56 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 1700V 20A 140W TO268

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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TO-268
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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22+
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IXYS/艾賽斯
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TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片
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