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IVN5001中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IVN5001
廠商型號

IVN5001

功能描述

FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR

文件大小

789.71 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-2 16:27:00

IVN5001規(guī)格書詳情

Features

? High speed, high peak current switching

? Inherent current sharing capability when paralleled

? Directly interface to CMOS, DTL, TTL logic

? Simple, straight-forward DC biasing

? Inherent protection from thermal runaway

? Reliable, low cost plastic package

Applications

? LED and lamp drivers

? High gain, wide-band amplifiers

? High speed switches

? Line drivers

? Logic buffers

? Pulse amplifiers

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IVN5001

  • 功能描述:

    Field Effect Power Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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