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ISPD04N60C3中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ISPD04N60C3
廠商型號

ISPD04N60C3

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

絲印標識

DPAK

封裝外殼

TO-252

文件大小

336.69 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-5-4 15:30:00

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ISPD04N60C3規(guī)格書詳情

? DESCRITION

? High peak current capability

? Improved transconductance

? FEATURES

? Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.95?

? Enhancement mode:

? 100 avalanche tested

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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