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ISL9N306AS3ST中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ISL9N306AS3ST
廠商型號(hào)

ISL9N306AS3ST

功能描述

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

文件大小

205.81 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-8 20:38:00

ISL9N306AS3ST規(guī)格書詳情

General Description

This device employs a new advanced trench MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance.

Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switching frequencies.

Features

? Fast switching

? rDS(ON) = 0.0052? (Typ), VGS = 10V

? rDS(ON) = 0.0085? (Typ), VGS = 4.5V

? Qg (Typ) = 30nC, VGS = 5V

? Qgd (Typ) = 11nC

? CISS (Typ) = 3400pF

Applications

? DC/DC converters

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    ISL9N306AS3ST

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD
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TO-263
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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FAIRCHILD/仙童
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十!
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長期供貨
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原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢 庫存
詢價(jià)