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ISL6612IR-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：10-VFDFN 裸露焊盤類別：集成電路（IC）柵極驅(qū)動器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
ISL6612IRZ	文件：322.71 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334B,ISL6334Ccontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6612IRZ	文件：250.88 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6612IRZ	文件：601.58 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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LMH6612MA	文件：1.36349 Mbytes Page：32 Pages	SingleSupply345MHzRail-to-RailOutputAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LMH6612MA/NOPB	文件：2.64771 Mbytes Page：42 Pages	SingleSupply345MHzRail-to-RailOutputAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LMH6612MANOPB	文件：2.64771 Mbytes Page：42 Pages	LMH6611/LMH6612SingleSupply345MHzRail-to-RailOutputAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6612MAX	文件：1.36349 Mbytes Page：32 Pages	SingleSupply345MHzRail-to-RailOutputAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LMH6612MAX/NOPB	文件：2.64771 Mbytes Page：42 Pages	SingleSupply345MHzRail-to-RailOutputAmplifiers	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LMH6612MAXNOPB	文件：2.64771 Mbytes Page：42 Pages	LMH6611/LMH6612SingleSupply345MHzRail-to-RailOutputAmplifiers	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LU6612	文件：528.55 Kbytes Page：36 Pages	LU6612FASTCATTMSingle-FETfor10Base-T/100Base-TX Description TheLU6612isasingle-channel,single-chipcompletetransceiverdesignedspecificallyfordual-speed10Base-Tand100Base-TXrepeatersandswitches. LU6612implements: ■The10Base-TtransceiverfunctionofIEEE802.3u. ■Thephysicalcodingsublayer(PCS)ofIEEE802.3u. ■Thep	agere Agere Systems	agere
MAX6612	文件：124.55 Kbytes Page：5 Pages	High-Slope,Low-Power,AnalogTemperatureSensorinanSC70Package	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
MAX6612MXK-T	文件：124.55 Kbytes Page：5 Pages	High-Slope,Low-Power,AnalogTemperatureSensorinanSC70Package	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導體	Maxim
MCH6612	文件：30.12 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications N-ChannelSiliconMOSFET Features ?LowON-resistance. ?Ultrahigh-speedswitching. ?4Vdrive. ?Compositetypewith2MOSFETscontainedinasingle package,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo 三洋三洋電機株式會社	SANYO
NAS6612	文件：58.47 Kbytes Page：2 Pages	BOLT,HEXHEAD,CLOSETOLERANCE,ALLOYSTEELSHORTTHREAD	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
NAS6612	文件：419.27 Kbytes Page：6 Pages	NATIONALAEROSPACESTANDARD	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
S6612	文件：139.7 Kbytes Page：1 Pages	SunStrap	HeycoHeyco. ?？?/span>?？?Heyco)	Heyco

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
ISL6612IR-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器
包裝：
卷帶（TR）
驅(qū)動配置：
半橋
通道類型：
同步
柵極類型：
N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電：
10.8V ~ 13.2V
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
1.25A，2A
輸入類型：
非反相
上升/下降時間（典型值）：
26ns，18ns
工作溫度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
10-VFDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：
10-DFN（3x3）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多ISL6612IR-T供應商更新時間2024-11-5 17:16:00

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