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ISG0613N04NM6HSC中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

ISG0613N04NM6HSC
廠商型號(hào)

ISG0613N04NM6HSC

功能描述

MOSFET OptiMOSTM6 Power-Transistor, 40 V

絲印標(biāo)識(shí)

61304N6HC

封裝外殼

PG-WHITFN-10-1

文件大小

1.02393 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-31 15:15:00

ISG0613N04NM6HSC規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Symmetrical Half Bridge

? Optimized for low voltage drives and battery powered applications

? Optimized for high performance SMPS

? N-channel

? Very low on-resistance RDS(on)

? Superior thermal resistance

? 100% avalanche tested

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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