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ISF1108

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=171A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.9mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS ·UninterruptiblePowerSupply ·HighSpeedPowerSwitching ·HardSwitchedAnd

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

KAN1108RR

HALF-PITCHLOWPROFILEDIPSWITCHES

E-SWITCH

E-switch

KAN1108RT

HALF-PITCHLOWPROFILEDIPSWITCHES

E-SWITCH

E-switch

KAS1108R

SLIDEDIPSWITCHES

E-SWITCH

E-switch

KAT1108E

KAT1108E(8POSDIPSWITCH)

E-SWITCH

E-switch

KAT1108E

6BitDigitalStepAttenuator

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

KAT1108E

Serialand6bitParallelInterface

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

KAT1108E

7-bit0.25dBDigitalStepAttenuator

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

KAT1108E

6-bitDigitalStepAttenuator

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

KAT1108E

SpuriousFreeDesignAttenuationError0.3dB@2GHz

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多ISF1108供應(yīng)商 更新時間2025-3-19 14:00:00

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