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ISCNH360W中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ISCNH360W
廠商型號(hào)

ISCNH360W

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

401.05 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-5 23:00:00

ISCNH360W規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current –ID= 72A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= 650V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) =0.044Ω(Max)@VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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