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ISC151N20NM6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ISC151N20NM6
廠商型號

ISC151N20NM6

功能描述

MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

絲印標(biāo)識

151N20N6

封裝外殼

PG-TDSON-8FL

文件大小

1.32928 Mbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-11 20:00:00

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ISC151N20NM6規(guī)格書詳情

Features

? N-channel, normal level

? Very low on-resistance RDS(on)

? Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)

? Very low reverse recovery charge (Qrr)

? 175°C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

? MSL 1 classified according to J-STD-020

? 100 avalanche tested

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
VISHAY/威世
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只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
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