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IS62WV1288BLL-55TLI

128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV1288ALL/IS62WV1288BLLarehighspeed,1MbitstaticRAMsorganizedas128Kwordsby8bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceandlowpo

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV1288BLL-55TLI

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：32-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS62WV1288BLL-55TLI-TR

包裝：托盤 封裝/外殼：32-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I

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IS62WV1288BLL-55BI

128Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

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IS62WV1288BLL-55HI

128Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

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IS62WV1288BLL-55HLI

128Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

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IS62WV1288BLL-55QI

128Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

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北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV1288BLL-55QLI

128Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV1288ALL/IS62WV1288BLLarehighspeed,1MbitstaticRAMsorganizedas128Kwordsby8bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceandlowpo

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北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV1288BLL-55TI

128Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS62WV1288BLL-55TLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    55ns

  • 電壓 - 供電：

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    32-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-TSOP I

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ISSI
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更多IS62WV1288BLL-55TLI供應(yīng)商 更新時間2025-1-13 17:29:00

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