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IS62WV102416BLL-25TLI

1M x 16 HIGH-SPEED LOW POWER ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV102416BLL-25TLI

包裝:托盤 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV102416BLL-25TLI-TR

包裝:托盤 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS62WV102416BLL-25MI

1Mx16HIGH-SPEEDLOWPOWERASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV102416BLL-25MLI

1Mx16HIGH-SPEEDLOWPOWERASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS62WV102416BLL-25TI

1Mx16HIGH-SPEEDLOWPOWERASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    IS62WV102416BLL-25TLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    1.65V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TSOP I

  • 描述:

    IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS62WV102416BLL-25TLI供應(yīng)商 更新時間2024-12-26 14:13:00