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IS61WV6416BLL-12BLI

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV6416BLL-12BLI

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:48-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV6416BLL-12BLI-TR

包裝:托盤 封裝/外殼:48-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV6416BLL-12BI

64Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV6416BLL-12TI

64Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV6416BLL-12TLI

64Kx16HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IS61WV6416BLL-12BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ISSI
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48-迷你型BGA(6x8)
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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