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IS61WV12816DBLL-10TLI

128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV12816DBLL-10TLI

包裝：托盤 封裝/外殼：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV12816DBLL-10TLI-TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61WV12816DBLL-10BI

128Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV12816DBLL-10BLI

128Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV12816DBLL-10TI

128Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61WV12816DBLL-10TL

128Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxarehigh-speed,2,097,152-bitstaticRAMsorganizedas131,072wordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-pe

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IS61WV12816DBLL-10TLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    2Mb（128K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-TSOP II

  • 描述：

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ISSI
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100%原裝正品現(xiàn)貨
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ISSI
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器2M(128Kx16)10nsAsync靜態(tài)隨機(jī)存取
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更多IS61WV12816DBLL-10TLI供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-26 14:05:00

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