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IS61NLP25636A-200B3I

256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM

DESCRIPTION The9MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby36bitsand512Kwordsby18bits,fabric

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

IS61NLP25636A-200B3I

Package：165-TBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP25636A-200B3I-TR

Package：165-TBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NLP25636A-200B3

256Kx36and512Kx189Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM

DESCRIPTION The9MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby36bitsand512Kwordsby18bits,fabric

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61NLP25636A-200B3I

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-TFBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IS61NLP25636A-200B3I供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 10:50:00

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