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IS61LV6416-10BLI 集成電路（IC）存儲器 ISSI/北京矽成

IS61LV6416-10BLI參考圖片

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原廠料號：IS61LV6416-10BLI品牌：ISSI/美國芯成

二十余載金牌老企,研究所優(yōu)秀合供單位,您的原廠窗口

IS61LV6416-10BLI是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ISSI/美國芯成/ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生產(chǎn)封裝NA/48-TFBGA的IS61LV6416-10BLI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    IS61LV6416-10BLI

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ISSI【北京矽成】詳情

  • 廠商全稱：

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名稱：

    北京矽成半導(dǎo)體有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    16 頁

  • 文件大小：

    146.94 kb

  • 資料說明：

    64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61LV6416-10BLI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市硅宇電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李經(jīng)理

  • 手機(jī)：

    15873561392

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23483584

  • 傳真：

    0755-82724276

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福虹路9號世貿(mào)廣場A座1503室

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