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IS61LV6416-10中文資料ICSI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IS61LV6416-10
廠商型號

IS61LV6416-10
參數(shù)屬性

IS61LV6416-10 封裝/外殼為48-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA
功能描述

64K X 16 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3 V SUPPLY
文件大小

452.42 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Integrated Circuit Solution Inc
企業(yè)簡稱

ICSI

中文名稱

Integrated Circuit Solution Inc官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2024-11-19 22:58:00

IS61LV6416-10規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ICSI IS61LV6416 is a high-speed, 1,048,576-bit static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is fabricated using ICSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.

FEATURES

? High-speed access time: 8, 10, 12 and 15 ns

? CMOS low power operation

— 61LV6416: 250 mW (typical) operating 250 μW (typical) standby

? TTL compatible interface levels

? Single 3.3V power supply

? Fully static operation: no clock or refresh required

? Three state outputs

? Data control for upper and lower bytes

? Industrial temperature available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61LV6416-10BLI-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TFBGA（6x8）

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48MINIBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ISSI
2016+
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6000
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