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IS61LPS25636A-200B3LI集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS61LPS25636A-200B3LI
廠商型號

IS61LPS25636A-200B3LI
參數(shù)屬性

IS61LPS25636A-200B3LI 封裝/外殼為165-TBGA；包裝為散裝；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
功能描述

9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, Single CYCLE DESELECT STATIC RAM
封裝外殼

165-TBGA
文件大小

630.59 Kbytes
頁面數(shù)量

35 頁
生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI【北京矽成】

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-1-23 19:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61LPS25636A-200B3LI

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    散裝

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-TFBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

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