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IS61LPS12836A集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IS61LPS12836A
廠商型號

IS61LPS12836A
參數(shù)屬性

IS61LPS12836A 封裝/外殼為119-BBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
功能描述

128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM
封裝外殼

119-BBGA
文件大小

168.16 Kbytes
頁面數(shù)量

26 頁
生產(chǎn)廠商 Integrated Silicon Solution Inc
企業(yè)簡稱

ISSI【北京矽成】

中文名稱

北京矽成半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-1-22 19:48:00

IS61LPS12836A規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The ISSIIS61(64)LPS12832A, IS61(64)LPS/VPS12836A and IS61(64)LPS/VPS25618A are high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide burstable, high-performancememory for communication and networking applications. The IS61(64)LPS12832A is organized as 131,072 words by 32 bits. The IS61(64)LPS/VPS12836A is organized as 131,072 words by 36 bits. The IS61(64)LPS/ VPS25618A is organized as 262,144 words by 18 bits. Fabricated with ISSIs advanced CMOS technology, the device integrates a 2-bit burst counter, high-speed SRAM core, and high-drive capability outputs into a single monolithic circuit. All synchronous inputs pass through registers controlled by a positive-edge-triggered single clock input.

FEATURES

? Internal self-timed write cycle

? Individual Byte Write Control and Global Write

? Clock controlled, registered address, data and control

? Burst sequence control using MODE input

? Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining

? Common data inputs and data outputs

? Auto Power-down during deselect

? Single cycle deselect

? Snooze MODE for reduced-power standby

? Power Supply

LPS: VDD 3.3V + 5, VDDQ 3.3V/2.5V + 5

VPS: VDD 2.5V + 5, VDDQ 2.5V + 5

? JEDEC 100-Pin TQFP, 119-ball PBGA, and 165-ball PBGA packages

? Automotive temperature available

? Lead Free available

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    IS61LPS12836A-200B2I-TR

  • 制造商：

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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